10:15 〜 10:30
▲ [18a-C2-4] NOx(x=1 or 2) / F2 混合ガスの高温下Si ケミカルドライエッチング(II)
キーワード：Si chemical dry etching,Surface chemical reaction,Molecular orbital
講演情報
一般セッション(口頭講演)
08．プラズマエレクトロニクス » 8.4 プラズマエッチング
[18a-C2-1~8] 8.4 プラズマエッチング
2013年9月18日(水) 09:30 〜 11:45 C2 (TC3 1F-102)