[18a-D3-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [18a-D3-3] 原子間力顕微鏡カンチレバーを用いた高ドリフト耐性を有する微細抵抗変化メモリ(ReRAM)の抵抗スイッチング特性

^○高相圭¹，澤居優圭¹，岸田悟^1,2，木下健太郎^1,2 (鳥取大工¹，TEDREC²)

キーワード：ReRAM,NiO,AFM