[18a-D3-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [18a-D3-5] NiO薄膜の膜質がPt/NiO/Pt抵抗変化素子のフォーミング電圧に及ぼす影響

^○（DC）岩田達哉，西佑介，木本恒暢 (京大院工)

キーワード：抵抗変化型メモリ,酸化ニッケル,残留応力