[18a-D3-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [18a-D3-6] p-CuOx/SiOx/n-SiC/n-Si ダイオード構造抵抗変化型メモリ

^○山下敦史，塚本貴広，須田良幸 (東京農工大院工)

キーワード：抵抗変化メモリ