[18a-D3-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [18a-D3-7] 第一原理分子動力学法を用いたConducting-Bridge Memoryにおける微視的抵抗スイッチング機構の解明

^○由良翔¹，山崎隆浩³，中田謙吾¹，石井晃¹，岸田悟^1,2，木下健太郎^1,2 (鳥取大工¹，TEDREC　²，物質材料研究機構³)

キーワード：第一原理計算,酸化ハフニウム,抵抗変化メモリ