[18a-D6-1~9] 14.2 超薄膜・量子ナノ構造

△ [18a-D6-2] 高成長温度、低成長量で作製された低密度InP(311)B基板上InAs量子ドットの光学特性

^○小西広一郎¹，高熊亨¹，赤羽浩一²，末宗幾夫³，早瀬潤子¹ (慶大理工¹，情通機構²，北大電子研³)

キーワード：量子ドット,低密度化