11:00 〜 11:15
[18a-D7-5] 反応性スパッタ法により形成したAlN:Eu,Si薄膜のPL発光特性
キーワード：AlN,Eu
講演情報
一般セッション(口頭講演)
14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.4 光物性・発光デバイス
[18a-D7-1~11] 14.4 光物性・発光デバイス
2013年9月18日(水) 10:00 〜 13:00 D7 (MK 3F-302)
一般セッション(口頭講演)
14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.4 光物性・発光デバイス
2013年9月18日(水) 10:00 〜 13:00 D7 (MK 3F-302)
11:00 〜 11:15
キーワード：AlN,Eu