[18p-B4-1~12] 15.5 IV族結晶.IV-IV族混晶

[18p-B4-8] GOI基板上に形成したGe_1-xSn_xエピタキシャル層の電気特性評価

^○大村拓磨¹，浅野孝典¹，黒澤昌志^1,2，田岡紀之¹，坂下満男¹，中塚理¹，財満鎭明¹ (名古屋大院工¹，学振特別研究員（PD)²)

キーワード：GeSn,GOI,電気特性