2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.2 半導体表面

[18p-C1-1~13] 13.2 半導体表面

2013年9月18日(水) 13:00 〜 16:30 C1 (TC3 1F-101)

15:30 〜 15:45

[18p-C1-10] Pd触媒を用いたSiの気相エッチングと貫通孔形成

○(M1)川口遼馬,原田隆史,池田茂,松村道雄 (阪大太陽エネ化学研セ)

キーワード:シリコンエッチング,貫通孔