13:45 〜 14:00
[18p-C1-4] Si(111)表面へのNiイオン照射過程のリアルタイムSTM観察
キーワード:scanning tunneling microscope,nickel silicide
一般セッション(口頭講演)
13.半導体A(シリコン) » 13.2 半導体表面
2013年9月18日(水) 13:00 〜 16:30 C1 (TC3 1F-101)
13:45 〜 14:00
キーワード:scanning tunneling microscope,nickel silicide