2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

06．薄膜・表面 » 6.5 表面物理・真空

[18p-D2-1~15] 6.5 表面物理・真空

2013年9月18日(水) 13:00 〜 17:45 D2 (MK 1F-102)

14:45 〜 15:00

[18p-D2-6] 角度分解赤外吸収分光法によるH-Si(111)表面上におけるF4-TCNQの吸着状態の研究

○古橋匡幸1，吉信淳2 (阪大産研1，東大物性研2)

キーワード：F4-TCNQ,赤外分光,電荷移動