2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

14.半導体B(探索的材料・物性・デバイス) » 14.2 超薄膜・量子ナノ構造

[18p-D6-1~17] 14.2 超薄膜・量子ナノ構造

2013年9月18日(水) 13:30 〜 18:00 D6 (MK 3F-301)

17:00 〜 17:15

[18p-D6-14] InAs量子ドットを利得媒質とするGaAs/AlAs結合共振器のウエハ直接接合による作製と光学特性評価

原山千穂1,加藤翔1,中河義典1,2,森田健1,北田貴弘1,井須俊郎1 (徳島大院フロンティア1,日亜化学2)

キーワード:結合共振器,ウエハ直接接合,InAs量子ドット