17:00 〜 17:15
[18p-D6-14] InAs量子ドットを利得媒質とするGaAs/AlAs結合共振器のウエハ直接接合による作製と光学特性評価
キーワード:結合共振器,ウエハ直接接合,InAs量子ドット
一般セッション(口頭講演)
14.半導体B(探索的材料・物性・デバイス) » 14.2 超薄膜・量子ナノ構造
2013年9月18日(水) 13:30 〜 18:00 D6 (MK 3F-301)
17:00 〜 17:15
キーワード:結合共振器,ウエハ直接接合,InAs量子ドット