2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

14.半導体B(探索的材料・物性・デバイス) » 14.2 超薄膜・量子ナノ構造

[18p-D6-1~17] 14.2 超薄膜・量子ナノ構造

2013年9月18日(水) 13:30 〜 18:00 D6 (MK 3F-301)

14:45 〜 15:00

[18p-D6-6] 立方晶GaN量子ドットを用いた単一光子発生

加古敏1,Sylvain Sergent2,Mark Holmes2,Matthias Buerger3,Donat As3,荒川泰彦1,2 (東大生研1,東大ナノ量子機構2,Paderborn大3)

キーワード:量子ドット,立方晶GaN,単一光子発生