[18p-P9-1~10] 13.3 絶縁膜技術

[18p-P9-8] HfO₂/TaGe_xO_yを用いたGe-MIS構造の熱処理による化学構造変化

^○橋本邦明¹，大田晃生¹，村上秀樹¹，東清一郎¹，宮崎誠一² (広大院先端研¹，名大院工²)

キーワード：Ge,高誘電率絶縁膜