2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

06．薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19a-P3-1~27] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2013年9月19日(木) 09:30 〜 11:30 P3 (デイヴィス記念館 )

09:30 〜 11:30

[19a-P3-1] 2nm厚さタンタル酸化膜を持つ抵抗変化型スイッチ素子

○大野武雄1，寒川誠二1,2 (東北大AIMR1，東北大流体研2)

キーワード：ナノ薄膜,resistive memory,ReRAM