[19a-P3-1~27] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19a-P3-22] 遷移金属酸化物抵抗変化型メモリにおけるスイッチング速度のフィラメント温度依存性

^○小石遼介¹，森山拓洋¹，木村康平¹，岸田悟^1,2，木下健太郎^1,2 (鳥取大工¹，TEDREC²)

キーワード：ReRAM,スイッチング速度,フィラメント温度