[19a-P6-1~3] 13.7 シミュレーション

[19a-P6-3] ボディ短絡型自己バイアスチャネルダイオードの特性シミュレーション

^○山田大輔¹，工藤嗣友¹，菅原文彦²，大沼孝一² (神奈川工大¹，東北学院工大²)

キーワード：MOS diode,パワーデバイス,ボディ短絡