[19a-P8-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[19a-P8-10] GaAs(001)面上窒素δドープ層形成過程のRHEED解析(3)

^○西本徳久¹，近藤正彦¹，石川史太郎² (阪大院工¹，愛媛大院理工²)

キーワード：希釈窒化物,デルタドープ