[19a-P8-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[19a-P8-8] GaAs(111)A基板上の歪み緩和InGaAs成長

^○Neul Ha^1,2，Andrea Castellano¹，間野高明¹，大竹晃浩¹，佐久間芳樹¹，迫田和彰¹，黒田隆^1,2 (物材機構¹，九大²)

キーワード：InGaAs,MBE