[19a-P9-1~10] 15.6 IV族系化合物

[19a-P9-3] 熱酸化SiC MOSキャパシタの絶縁破壊痕の形状評価

^○佐藤創志¹，廣井佑紀³，山部紀久夫³，北畠真⁴，遠藤哲郎^1,2，丹羽正昭¹ (東北大国際集積センター¹，東北大工学研究科²，筑波大電子物理³，FUPET⁴)

キーワード：熱酸化,絶縁破壊