2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

15.結晶工学 » 15.6 IV族系化合物

[19a-P9-1~10] 15.6 IV族系化合物

2013年9月19日(木) 09:30 〜 11:30 P9 (デイヴィス記念館 )

09:30 〜 11:30

[19a-P9-3] 熱酸化SiC MOSキャパシタの絶縁破壊痕の形状評価

佐藤創志1,廣井佑紀3,山部紀久夫3,北畠真4,遠藤哲郎1,2,丹羽正昭1 (東北大国際集積センター1,東北大工学研究科2,筑波大電子物理3,FUPET4)

キーワード:熱酸化,絶縁破壊