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一般セッション(口頭講演)

10．スピントロニクス・マグネティクス » 10.3 GMR・TMR・磁気記録技術

[19p-C15-1~8] 10.3 GMR・TMR・磁気記録技術

2013年9月19日(木) 13:00 〜 15:00 C15 (TC3 2F-216)

13:30 〜 13:45

▲ [19p-C15-3] プラズマ酸化によるMgO障壁層を用いたCo₂Fe_0.4Mn_0.6Si電極強磁性トンネル接合の作製

^○森廣智之，大兼幹彦，永沼博，安藤康夫 (東北大院工)

キーワード：Heusler,magnetic tunnel junction,oxidation