[19p-C8-1~18] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[19p-C8-10] 数nm-CMOS 素子用二次元Si 層の検討（IV）：光学特性の変調効果

^○鈴木佑弥¹，中原雄太¹，永田祐介¹，青木孝¹，水野智久¹，鮫島俊之² (神奈川大理¹，東京農工大工²)

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