[19p-C8-1~18] 13.6 Siデバイス／集積化技術

△ [19p-C8-12] GaSb pMOSFETのMetal Source/Drainに向けたNi-GaSb/GaSbショットキー接合の低温における形成

^○西康一¹，金相賢¹，横山正史¹，横山春喜²，竹中充¹，高木信一¹ (東大¹，日本電信電話 NTTフォトニクス研究所²)

キーワード：GaSb