[19p-C8-1~18] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[19p-C8-15] 不純物のイオン化エネルギー増大によるナノワイヤトランジスタの電気的特性に与える影響

^○黒澤裕也^1,2，角谷直哉¹，高橋綱己²，大橋輝之¹，小田俊理³，内田建^1,2 (東工大院理工電子物理¹，慶大理工²，東工大量子ナノ研セ³)

キーワード：イオン化エネルギー,ナノワイヤトランジスタ