[19p-C8-1~18] 13.6 Siデバイス／集積化技術

△ [19p-C8-3] ホール輸送によるp型二重結合量子ドットの特性評価

^○山田宏¹，小寺哲夫^1,2,3，蒲原知宏¹，河野行雄¹，小田俊理¹ (東工大量子ナノエレ研セ¹，東大ナノ量子機構²，JST-PRESTO³)

キーワード：量子ドット　シリコン　ホール