[19p-C8-1~18] 13.6 Siデバイス／集積化技術

△ [19p-C8-4] チャージセンサのバックアクションによるシリコン量子ドット内電子励起の観測

^○堀部浩介¹，小寺哲夫^1,2,3，河野行雄¹，小田俊理¹ (東工大量子ナノ研セ¹，東大ナノ量子機構²，さきがけ-JST³)

キーワード：シリコン,量子,センサ