[19p-C8-1~18] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[19p-C8-6] ダブルゲートSi単電子トランジスタにおけるExcited stateの特性変化

^○吉岡勇¹，内田貴史¹，佐藤光¹，有田正志¹，藤原聡²，高橋庸夫¹ (北大院情報¹，NTT物性研²)

キーワード：単電子トランジスタ