[19p-D3-1~18] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

△ [19p-D3-1] HBT低ターン・オン電圧化のための高正孔濃度InGaAsSbのMOCVD成長

^○星拓也，杉山弘樹，横山春喜，松崎秀昭，神徳正樹 (NTTフォトニクス研)

キーワード：インジウムガリウム砒素アンチモン,有機金属化学気相堆積,ヘテロ接合バイポーラトランジスタ