講演情報

Tweet

一般セッション(口頭講演)

15．結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[19p-D3-1~18] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

2013年9月19日(木) 13:00 〜 17:45 D3 (MK 2F-201)

17:00 〜 17:15

[19p-D3-16] GaAsSbバッファ層上の面内超高密度InAs量子ドットの選択励起PL特性

^○塩川美雪，山口浩一 (電通大　先進理工)

キーワード：自己形成量子ドット,超高密度,GaAsSb