2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15.結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[19p-D3-1~18] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

2013年9月19日(木) 13:00 〜 17:45 D3 (MK 2F-201)

17:30 〜 17:45

[19p-D3-18] MOCVD法によるGaP基板上GaInAs量子ドットの形成

○(M2)星野文哉,古川聖紘,押田将平,宮本智之 (東工大)

キーワード:量子ドット,成長,MOCVD