[19p-D3-1~18] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

△ [19p-D3-5] 原子層エピタキシー法を用いたGaAsN薄膜成長における
AsおよびN原料供給時間依存性のラマン分光法による評価

^○（M1）後藤翔馬¹，前田幸治¹，碇哲雄¹，鈴木秀俊²，山内俊浩²，原口智宏¹ (宮崎大工¹，宮崎大IRO²)

キーワード：半導体