[19p-D3-1~18] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[19p-D3-7] GaAs基板上に成長した歪InGaP/InGaP MQWにおける面内の構造的異方性

^○満原学¹，渡邉則之¹，横山春喜¹，重川直輝² (ＮＴＴフォトニクス研¹，大阪市大²)

キーワード：半導体量子井戸,InGaP,構造的異方性