2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[19p-D7-1~17] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2013年9月19日(木) 13:00 〜 17:45 D7 (MK 3F-302)

16:00 〜 16:15

[19p-D7-11] Al2O3/ n-Ga2O3 MOSダイオード(2)

○上村崇史1，Man Hoi Wong1，佐々木公平2,1，Krishnamuruthy Daivasigamani1，倉又朗人2，増井健和3，山腰茂伸2，東脇正高1 (情報通信研究機構1，タムラ製作所2，光波3)

キーワード：酸化ガリウム,Ga2O3,MOSFET