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一般セッション(口頭講演)

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[19p-D7-1~17] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2013年9月19日(木) 13:00 〜 17:45 D7 (MK 3F-302)

16:30 〜 16:45

[19p-D7-13] 電気化学的手法と裏面光照射によるGaN多孔質ナノ構造の形成

^○渡部晃生，熊崎祐介，谷田部然治，佐藤威友 (北大量集セ)

キーワード：多孔質ナノ構造