2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[19p-D7-1~17] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2013年9月19日(木) 13:00 〜 17:45 D7 (MK 3F-302)

17:00 〜 17:15

[19p-D7-15] 超高次非線形誘電率顕微鏡法のパワーデバイス評価への応用－SiC-MOSFETの断面測定－

○茅根慎通1，中村孝2，長康雄1 (東北大 通研1，ローム2)

キーワード：SNDM,SiC-MOSFET