[19p-D7-1~17] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[19p-D7-16] ゲート容量が非対称な共通ゲート構造三重ドットターンスタイルの動作解析

^○中嶌篤志，今井茂 (立命館大理工)

キーワード：単電子デバイス