14:45 〜 15:00
△ [19p-D7-7] 伝導帯の非放物線性を考慮した歪InSb-HEMTにおける二次元電子ガスのエネルギー状態の理論解析
キーワード：HEMT,InSb,二次元電子ガス
講演情報
一般セッション(口頭講演)
14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.3 電子デバイス・プロセス技術
[19p-D7-1~17] 14.3 電子デバイス・プロセス技術
2013年9月19日(木) 13:00 〜 17:45 D7 (MK 3F-302)
一般セッション(口頭講演)
14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.3 電子デバイス・プロセス技術
2013年9月19日(木) 13:00 〜 17:45 D7 (MK 3F-302)
14:45 〜 15:00
キーワード：HEMT,InSb,二次元電子ガス