[19p-D7-1~17] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

△ [19p-D7-9] Siイオン注入を用いたβ-Ga₂O₃へのオーミックコンタクト形成

^○佐々木公平^1,2，東脇正高²，倉又朗人¹，増井建和³，山腰茂伸¹ (タムラ製作所¹，情通機構²，光波³)

キーワード：酸化ガリウム,イオン注入,オーミックコンタクト