2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

14.半導体B(探索的材料・物性・デバイス) » 14.1 探索的材料物性

[19p-P8-1~10] 14.1 探索的材料物性

2013年9月19日(木) 13:30 〜 15:30 P8 (デイヴィス記念館 )

13:30 〜 15:30

[19p-P8-1] イオンビームスパッタ蒸着法によるβ-FeSi2薄膜作製への蒸着速度の影響

濱本悟1,山口憲司2,北條喜一2 (茨大院理1,原子力機構2)

キーワード:シリサイド半導体,環境半導体,表面処理