2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

印刷

一般セッション(口頭講演)

15．結晶工学 » 15.7 エピタキシーの基礎

[20a-D3-1~5] 15.7 エピタキシーの基礎

2013年9月20日(金) 09:00 〜 12:00 D3 (MK 2F-201)

09:00 〜 09:15

[20a-D3-1] GaAs(001)-(2x4)表面におけるNペア形成に関する理論検討

○伊藤智徳，杉谷龍彦，秋山亨，中村浩次 (三重大院工)

キーワード：半導体表面,GaAs,窒素ペア形成