[20a-D6-1~11] 14.1 探索的材料物性

[20a-D6-9] RFスパッタリングによる加熱ガラス基板上へのBaSi₂膜の形成と評価

^○ヌルル アブドゥルラティフ¹，米山貴裕¹，渋田見哲夫²，松丸慶太郎²，都甲薫¹，末益崇^1,3 (筑波大院 電子・物理工学専攻¹，東ソー²，JST-CREST³)

キーワード：環境半導体,BaSi2,スパッタリング