[20a-D7-1~11] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

△ [20a-D7-11] デュアルゲート構造によるAlGaN/GaN HEMTの電流コラプス評価

^○西口賢弥¹，Joel T. Asubar¹，橋詰保^1,2 (北大量集センター¹，JST-CREST²)

キーワード：GaN,collapse,HEMT