[20a-D7-1~11] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[20a-D7-3] ALD-Al₂O₃を用いたMIS構造の電気的特性におけるオゾン導入条件の影響

^○（M1）吉田雄祐，ジョセフ フリーズマン，久保俊晴，江川孝志 (名工大)

キーワード：MIS,ALD