[20p-B4-1~8] 13.5 Siプロセス技術

[20p-B4-8] ゲルマニウムへの低温As⁺イオン注入による活性化率向上

^○小野貴寛¹，大田晃生¹，花房宏明¹，村上秀樹¹，東清一郎¹，宮崎誠一² (広大院先端研¹，名大院工²)

キーワード：Ge,イオン注入