[20p-C13-1~7] 9.4 熱電変換

△ [20p-C13-1] 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板へのGaイオン注入とそのゼーベック係数

^○鈴木悠平^1,2，サレ ファイズ^1,3,4，下村勝^2,3，石田明広^2,3，池田浩也^1,2,3 (静大電研¹，静大院工²，静大創造大学院³，学振特別研究員 DC⁴)

キーワード：Siナノワイヤ,ゼーベック係数,イオン注入