2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[20p-D7-1~8] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2013年9月20日(金) 13:00 〜 15:00 D7 (MK 3F-302)

14:15 〜 14:30

[20p-D7-6] ZrO2/Al2O3多層膜ゲートn-GaN MISダイオードの界面特性

○（D）樹神真太郎，徳田博邦，葛原正明 (福井大)

キーワード：GaN,MIS Diode,Interface propaty