一般セッション(口頭講演)

[27a-F1-1~9] 6.5 表面物理・真空

2013年3月27日(水) 09:30 〜 12:00 F1 (E3号館 1F-102)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[27a-F1-1] 熱酸化と超音速分子線によるSi(113)表面酸化過程の比較検討 (9:30 AM ～ 9:45 AM)

^○大野真也¹，安部壮祐¹，兼村瑠威¹，三浦脩¹，成重卓真¹，井上慧¹，百瀬辰哉¹，吉越章隆²，寺岡有殿²，尾形祥一^1,3，安田哲二³，田中正俊¹ (横国大工¹，原子力機構²，産総研³)

[27a-F1-2] 統合Si酸化反応モデルの実験的検証(6)：Si(111)における準安定吸着酸素分子の挙動 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

^○（B）西本究¹，唐佳芸¹，小川修一¹，吉越章越²，石塚眞治³，渡辺大輝¹，寺岡有殿²，高桑雄二¹ (東北大多元研¹，原子力機構²，長岡技科大³)

[27a-F1-3] Ge(100)-2x1表面酸化の進行と酸化状態の関係 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○吉越章隆¹，岡田隆太^1,2，寺岡有殿^1,3，神農宗徹^1,3，岩井優太郎^1,3，山田洋一²，佐々木正洋² (原子力機構¹，筑波大院数物²，兵県大院物質理学³)

[27a-F1-4] Fe表面腐食の第一原理計算による研究Ⅱ (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○布村紀男¹，砂田聡² (富山大情セ¹，富山大理工²)

[27a-F1-4.1] 休憩(15分)

[27a-F1-5] アルミ・酸素同時供給によるCo単結晶上へのエピアルミナ膜成長 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○吉武道子¹，スラボミールネムシャク¹，トーマススカラ²，ケビンプリンス² (物材機構¹，シンクロトロントリエステ²)

[27a-F1-6] 小振幅での原子間力顕微鏡(AFM)測定によるフォース分光 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○磯山季歩，高田翔一，有馬英司，兼岩迪加，内藤賀公，李艶君，菅原康弘 (阪大)

[27a-F1-7] 高温Si(001)2x1構造のRHEED解析 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○堀尾吉已¹，高桑雄二²，小川修一² (大同大工¹，東北大多元研²)

[27a-F1-8] 低速原子散乱分光法による絶縁体表面原子構造の観察 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○梅澤憲司 (大阪府大・総)

[27a-F1-9] 超音速希ガス原子線散乱による金属基板上単層grapheneの振動状態計測 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○金城厚¹，渡邉研人²，七辺寛幸²，山田洋一²，佐々木正洋² (筑波大理¹，筑波大数²)

一般セッション(口頭講演)

[27p-F1-1~14] 6.5 表面物理・真空

2013年3月27日(水) 13:30 〜 17:15 F1 (E3号館 1F-102)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[27p-F1-0] 昼食(90分)

[27p-F1-1] Fe(110)-whisker単結晶上のニッケル超薄膜のSTM/STS研究 (1:30 PM ～ 1:45 PM)

^○（M1C）川崎巧，山田豊和 (千葉大院融合)

[27p-F1-2] △Si基板上への鉄酸化物ナノドットのエピタキシャル成長とその電子状態測定 (1:45 PM ～ 2:00 PM)

^○石部貴史¹，中村芳明^1,2，松井秀紀¹，竹内正太郎¹，酒井朗¹ (阪大院基礎工¹，さきがけ-JST²)

[27p-F1-3] エピタキシャルb-FeSi₂ナノドット積層構造の形成とその熱電物性 (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○五十川雅之¹，中村芳明^1,2，吉川純¹，竹内正太郎¹，酒井朗¹ (阪大院基礎工¹，さきがけ-JST²)

[27p-F1-4] Si(110)表面へのGe蒸着による新規低次元ナノ構造形成 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○（P）横山有太¹，魚住雄輝²，朝岡秀人^1,2 (原子力機構先端基礎¹，原子力機構量子ビーム²)

[27p-F1-5] Ni(111)表面上のSi成長初期過程のSTM観察（Ⅱ） (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○福田常男¹，梅澤憲司² (阪市大院工¹，阪府大院理²)

[27p-F1-6] GaAs(100)表面におけるCsおよびO2吸着過程のSTM観察 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○大迫隼，矢崎貴紀，目黒多加志 (東理大理)

[27p-F1-7] ナノインデンテーション法によるフレキシブル基板上の酸化珪素薄膜の機械的特性評価 (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○塩飽義大¹，伊與田宗慶¹，口山崇²，井上健二²，山本憲治²，望月正人¹，関修平¹ (阪大院工¹，カネカ²)

[27p-F1-7.1] 休憩(15分)

[27p-F1-8] 単一ナノ分子・巨大磁気抵抗 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○山田豊和¹，S. Schmasu²，A. Bagrets²，山岸祐平¹，F. Evers²，W. Wulfhekel² (千葉大院融合¹，カールスルーエ工科大²)

[27p-F1-9] CSL型極高真空計のイオン軌道の検討 (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○金持徹¹，櫻井誠² (神戸大工¹，神戸大理²)

[27p-F1-10] 新しい多極子ウィーンフィルターによる三次元スピン方向制御 (4:00 PM ～ 4:15 PM)

^○安江常夫¹，鈴木雅彦¹，津野勝重²，後藤修一³，越川孝範¹ (阪電通大エレ研¹，EOS津野²，サンユー電子³)

[27p-F1-11] SPLEEMによる[Co/Ni_x]_y多層薄膜の垂直磁化特性観察とLLG方程式による磁区シミュレーション (4:15 PM ～ 4:30 PM)

^○鈴木雅彦¹，工藤和恵²，小島一希³，安江常夫¹，Ernst Bauer⁴，阿久津典子¹，Diño Wilson³，笠井秀明³，越川孝範¹ (大阪電通大¹，お茶大理²，阪大工³，アリゾナ州立大⁴)

[27p-F1-12] ナノパターン形成のためのTiO₂(110)表面上への局所イオン液体膜調整 (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○杉岡大輔¹，山口基子³，桑畑進^2,3，鳥本司¹，鈴木秀士^1,3 (名大院工¹，阪大院基礎工²，ＪＳＴ-ＣＲＥＳＴ³)

[27p-F1-13] 加熱で発生するCOに依るカーボンブラック担体触媒Ptの清浄化処理 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○富江敏尚，石塚知明 (産総研　計測フロンティア)

[27p-F1-14] 高真空スパッタによるCo膜トレンチへのCu埋め込みに与えるO₂の影響 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○飯田浩幸，伊藤勝利，齊藤茂 (東理科大工)

一般セッション(ポスター講演)

[28p-PB4-1~15] 6.5 表面物理・真空

2013年3月28日(木) 16:00 〜 18:00 PB4 (第二体育館)

ポスター掲示時間16:00〜18:00(PB会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[28p-PB4-1] 基板の表面粗さが光学薄膜の光散乱特性に与える影響 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○原田敏憲¹，室谷裕志¹，松本繁治²，本多博光²，田村耕一³，杉浦宗男³ (東海大院工¹，シンクロン²，東海光学³)

[28p-PB4-2] 基板のヤケが光学薄膜の特性に与える影響3 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○奥田良¹，高橋智明¹，室谷裕志¹，中山俊¹，松本繁治²，本多博光² (東海大工¹，シンクロン²)

[28p-PB4-3] DLC初期成長層と下地原子界面の観察 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

宇偉華，^○奥野公夫 (長崎総合科学大工)

[28p-PB4-4] 金属基板によるフタロシアニン分子の電子状態の制御 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○大磯賢司¹，山岸祐平¹，芝原文利²，山田豊和¹ (千葉大院融合¹，岐阜大工²)

[28p-PB4-5] △ナノ多孔質TiO₂薄膜表面におけるPDTCの吸着 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○太田紘志¹，D.M.B.P Ariyasinghe²，下村勝^2,3 (静岡大工¹，静岡大院創造科技²，静岡大電研³)

[28p-PB4-6] △厚膜シリコン酸化膜に形成したボイド構造のAFM観察 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○吉田太祐，永井孝幸，遠田義晴 (弘前大院理工)

[28p-PB4-7] DNA塩基配列決定に適したグラフェン基板の作成 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○田中裕行 (阪大産研)

[28p-PB4-8] Si(001)表面上の鉄シリサイドの構造と電子状態 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○田中博也¹，中島淳貴¹，成重卓真¹，大野真也¹，百瀬辰哉¹，豊島弘明¹，安部壮祐¹，田中正俊¹，矢冶光一郎²，原沢あゆみ²，柿崎明人² (横国大¹，東大²)

[28p-PB4-9] Si(001)表面上に成長した鉄シリサイドのSTM/STS 測定 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○（M1）成重卓真¹，鷺坂恵介²，藤田大介²，大野真也¹，田中正俊¹ (横浜国大院工¹，物質・材料研究機構²)

[28p-PB4-10] 表面光吸収法を用いたGaAs表面における負の電子親和力表面形成過程のその場観察 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○早瀬和哉¹，鈴木一成¹，今井啓修¹，長谷川順一¹，難波大貴¹，西谷智博²，田渕雅夫²，目黒多加志¹ (東理大¹，名大²)

[28p-PB4-11] Si(100)表面におけるD₂分子線散乱の角度分解REMPI測定 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○岡本大佑¹，久保敦¹，近藤剛弘² (筑波大物理¹，筑波大物分²)

[28p-PB4-12] 自己組織化Ag/Ti ナノ構造薄膜の光学特性 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○神子公男¹，末永亮²，野瀬健二¹，具正祐^3,4，弓野健太郎²，光田好孝¹，河在根⁵ (東大生研¹，芝浦工大²，筑波大³，物材機構⁴，光云大⁵)

[28p-PB4-13] パルスアーク放電によるイオン液体への金属イオン注入 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○重本明彦，多中良栄，大崎秀介 (和歌山県工技センター)

[28p-PB4-14] Ge(110)-16×2をテンプレートとしたコロネンナノリボンの作製 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○石津友康，山田洋一，佐々木正洋 (筑波大数理物質)

[28p-PB4-15] 表面酸化物によるGaN表面フェルミ準位の変化 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○網谷良介，多次見大樹，杉浦洋平，山口智広，本田徹 (工学院大)

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[28p-PB4-1~15] 6.5 表面物理・真空