^○肥後昭男¹，田村洋典^2,6，Mohd Erman Fauzi^2,6，Cédric Thomas^2,6，五十嵐誠^2,6，胡衛国^2,6，木場隆之^3,6，村山明宏^3,6，王云鵬⁴，杉山正和⁵，中野義昭⁴，寒川誠二^1,2,6 (東北大WPI-AIMR¹，東北大流体研²，北大情報科学³，東大先端研⁴，東大工⁵，JST-CREST⁶)

[28p-G20-10] SPM酸化を用いて作製したシリコン・テンプレートと量子ドット位置制御 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○酒井鉄平¹，中嶋聖介^1,2，向井剛輝¹ (横浜国大工¹，理研²)

[28p-G20-11] 高効率太陽電池への応用に向けた化学合成量子ドットによる超格子形成手段の探索 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○清水雄大¹，重久龍太郎¹，中嶋聖介^1,2，向井剛輝¹ (横国大¹，理研²)

[28p-G20-12] 高エネルギーギャップ母体材料を用いたInGaAs量子ドット太陽電池 (5:15 PM ～ 5:30 PM)

^○庄司靖^1,2，秋本克洋²，岡田至崇¹ (東大先端研¹，筑波大数理物質²)

[28p-G20-13] 歪み補償多層積層量子ドットにおける光学利得の面内異方性 (5:30 PM ～ 5:45 PM)

^○小島磨¹，田中秀春¹，喜多隆¹，赤羽浩一² (神戸大院工¹，情通機構²)

[28p-G20-14] 斜め積層InAs/GaAs量子ドットの端面発光特性 (5:45 PM ～ 6:00 PM)

^○原田幸弘¹，別所侑亮¹，喜多隆¹，田口栄次²，保田英洋² (神戸大院工¹，阪大超高圧電子顕微鏡セ²)

[28p-G20-15] ▼Relative strength of upconversion through Auger, thermal and two-step two-photon-absorption processes in InAs quantum structures (6:00 PM ～ 6:15 PM)

^○（P）David Tex^1,2，神谷格³，金光義彦^1,2 (京大化研¹，JST-CREST²，豊田工大³)

[28p-G20-16] △3次元Si量子ナノディスク超格子構造における光吸収・電導特性 (6:15 PM ～ 6:30 PM)

^○五十嵐誠^1,3，Rahman Mohammad M.^1,3，胡衛国^1,3，寒川誠二^1,2,3 (東北大流体研¹，東北大WPI-AIMR²，JST-CREST³)

セッション一覧

シンポジウム » ・半導体量子ドット成長技術・物性評価の最前線

[28a-G20-1~10] 半導体量子ドット成長技術・物性評価の最前線

[28a-G20-1] 自己形成量子ドットはどこまで制御できるか（30分） (9:30 AM ～ 10:00 AM)

[28a-G20-2] InAs/GaAs量子ドットのフォトルミネッセンス測定　～スペクトル幅のドット密度依存性～ (10:00 AM ～ 10:15 AM)

[28a-G20-3] InP(001)微傾斜基板上におけるInAs量子ドット形成 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

[28a-G20-4] MOCVD法によるGaP基板上GaInAs量子ドットの形成と発光評価 (10:30 AM ～ 10:45 AM)

[28a-G20-4.1] 休憩(15分)

[28a-G20-5] InGaAsキャップ層の膜厚制御によるInAs量子ドット発光波長の変化 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

[28a-G20-6] 1.0～1.3μm帯での広帯域量子ドットLDの発振波長制御 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

[28a-G20-7] 近赤外広帯域光源を目指したInAs量子ドットLDの発光特性 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

[28a-G20-8] InAs量子ドットを有するGaAs/AlAs結合共振器による二波長面発光レーザの室温光励起発振 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

[28a-G20-9] 1100nm帯InGaAs量子ドットレーザのMBE成長 (12:00 PM ～ 12:15 AM)

[28a-G20-10] 狭スペクトル幅で広発光波長範囲のCdSe系量子ドットの液相合成とガラスカプセルへの封入 (12:15 PM ～ 12:30 AM)

[28p-G20-1~16] 半導体量子ドット成長技術・物性評価の最前線

[28p-G20-0] 昼食(90分)

[28p-G20-1] MBE技術の向上による量子ドットレーザの進化（30分） (2:00 PM ～ 2:30 PM)

[28p-G20-2] Si直接ドーピングInAs/GaAs量子ドットのキャリア緩和過程 (2:30 PM ～ 2:45 PM)

[28p-G20-3] InGaAs埋め込みInAs量子ドットから得られるフォトルミネッセンスの直線偏光対称性の温度制御 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

[28p-G20-4] △量子ドット集合体への通信波長帯ピコ秒単一光子パルスのコヒーレントな転写・再生 (3:00 PM ～ 3:15 PM)

[28p-G20-5] ▲An efficient single-photon source based on a metal-embedded nanocone structure incorporating an InAs quantum dot (3:15 PM ～ 3:30 PM)

[28p-G20-6] InAlAs 量子ドットでの価電子帯の非対称結合効果 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

[28p-G20-7] 電気二重層ゲートによるInAs量子ドットの電子状態の変調 (3:45 PM ～ 4:00 PM)

[28p-G20-7.1] 休憩(15分)

[28p-G20-8] △発光波長制御されたIn-flushed-QDの積層成長による1ミクロン帯広帯域発光 (4:15 PM ～ 4:30 PM)

[28p-G20-9] GaAsナノディスクのAlGaAs/GaAs MOVPE埋め込み再成長 (4:30 PM ～ 4:45 PM)