一般セッション(口頭講演)

[28p-G8-1~14] 13.2 半導体表面

2013年3月28日(木) 13:00 〜 16:45 G8 (B5号館 2F-2202)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[28p-G8-1] Si(110)表面の五員環構造 (1:00 PM ～ 1:15 PM)

^○山崎隆浩¹，加藤弘一²，宇田毅³，大野隆央^4,5 (富士通研¹，東芝R＆Dセンター²，ASMS³，物材機構⁴，東大生研⁵)

[28p-G8-2] Si(111)表面の自然酸化の原子論的形態に関する考察 (1:15 PM ～ 1:30 PM)

^○（M1）土井修平，蓮沼隆，山部紀久夫 (筑波大)

[28p-G8-3] △硫黄終端したGe(111)表面の作製と評価 (1:30 PM ～ 1:45 PM)

^○英良和，鈴木仁，高萩隆行，坂上弘之 (広島大先端研)

[28p-G8-4] in situ XPSによる湿度制御雰囲気下でのGeO₂/Ge構造の観察：Ge3dスペクトル形状の湿度依存性 (1:45 PM ～ 2:00 PM)

^○有馬健太¹，村敦史¹，秀島伊織¹，細井卓治¹，渡部平司¹，Zhi Liu² (阪大院工¹，バークレー国立研²)

[28p-G8-5] Au析出したn型Si(001)表面のAuナノクラスター及びAuの触媒反応による増速酸化の直接観察とAu/Siショットキー型交流表面光電圧の発生・消滅機構の考察 (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○Hirofumi Shimizu，今村仙治，眞田悠司 (日大工)

[28p-G8-6] ▲Investigation of Si surface roughness on 3-D MOS capacitor with ultrathin HfON gate insulator formed by ECR plasma sputtering (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○韓大熙，大見俊一郎 (東工大)

[28p-G8-7] N-フルオロピリジニウム塩を用いた光エッチングによるシリコンのランダム逆ピラミッドの形成 (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○平野利典¹，打越純一¹，大谷真輝¹，永井隆文²，足達健二²，川合健太郎¹，有馬健太¹，森田瑞穂¹ (阪大¹，ダイキン工業²)

[28p-G8-7.1] 休憩(15分)

[28p-G8-8] イオン注入とアニールによるSi表面金属汚染の侵入挙動(3) (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○上野恵二¹，嵯峨幸一郎²，小林駿介³，末岡浩治³ (ソニーセミコンダクタ¹，ソニー²，岡山県立大³)

[28p-G8-9] △β-Si₃N₄結晶中における不純物金属原子の拡散機構に関する第一原理解析 (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○小林駿介¹，柴田大生¹，末岡浩治¹，小町潤²，嵯峨幸一郎² (岡山県大院情報系工¹，ソニー²)

[28p-G8-10] ナノスケールのスリット内への液体浸入に関する分子動力学解析 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○山口康隆¹，川上雅之²，矢野大作²，山中弘次² (阪大院工¹，オルガノ²)

[28p-G8-11] 微小空間におけるウェットエッチング挙動の考察 (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○奥山敦¹，齋藤卓¹，萩本賢哉²，岩元勇人² (ソニーセミコンダクタ¹，ソニー²)

[28p-G8-12] △加熱触媒体により生成した水素ラジカルによるPMMA系ポリマーの分解機構の解明Ⅱ (4:00 PM ～ 4:15 PM)

^○能登雄佑¹，新井祐¹，高橋聖司¹，河野昭彦¹，石川健治²，堀勝²，堀邊英夫¹ (金沢工大¹，名古屋大²)

[28p-G8-13] △湿潤オゾンによるポリマー除去の反応メカニズムの解明(Ⅳ) (4:15 PM ～ 4:30 PM)

^○（DC）後藤洋介¹，安形行広¹，柄崎絵美¹，高橋聖司¹，小池国彦²，山岸忠明³，堀邊英夫¹ (金沢工大¹，岩谷産業²，金沢大³)

[28p-G8-14] ウェハ洗浄プロセスにおける薬液中でのフィルター除粒子性能評価 (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○橋本正利，都築修一 (日本ポール)

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